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SI6423DQ-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI6423DQ-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI6423DQ-T1-GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
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メーカーの標準リードタイム 52週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 12V 8.2A(Ta) 1.05W(Ta) 面実装 8-TSSOP

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート Si6423DQ
RoHS情報 Material Compliance
REACH 211 Cert, SVHC
HTMLデータシート Si6423DQ
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 12V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 8.2A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.8V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 8.5ミリオーム @ 9.5A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 800mV @ 400µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 110nC @ 5V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1.05W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSSOP
パッケージ/ケース 8-TSSOP(0.173インチ、4.40mm幅)
ベース品番 SI6423
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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