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SI5935CDC-T1-GE3 MOSFET - アレイ 2Pチャンネル(デュアル) 20V 4A 3.1W 面実装 1206-8 ChipFET™
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SI5935CDC-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI5935CDC-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI5935CDC-T1-GE3
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商品概要 MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
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商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2Pチャンネル(デュアル) 20V 4A 3.1W 面実装 1206-8 ChipFET™

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI5935CDC
HTMLデータシート SI5935CDC
EDA/CADモデル SI5935CDC-T1-GE3 by SnapEDA
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2Pチャンネル(デュアル)
FET機能 標準
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 100ミリオーム @ 3.1A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 11nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 455pF @ 10V
電力 - 最大 3.1W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SMD、フラットリード
サプライヤデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
ベース品番 SI5935
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI5935CDC-T1-GE3CT