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SI5515CDC-T1-GE3 MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 20V 4A 3.1W 面実装 1206-8 ChipFET™
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1 92.00000 ¥92
10 80.10000 ¥801
25 76.44000 ¥1,911
100 55.49000 ¥5,549
500 46.37200 ¥23,186
1,000 39.46600 ¥39,466

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SI5515CDC-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI5515CDC-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI5515CDC-T1-GE3
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商品概要 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
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メーカーの標準リードタイム 11週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 20V 4A 3.1W 面実装 1206-8 ChipFET™

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI5515CDC
HTMLデータシート SI5515CDC
EDA/CADモデル SI5515CDC-T1-GE3 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ NおよびPチャンネル
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 36ミリオーム @ 6A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 800mV @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 11.3nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 632pF @ 10V
電力 - 最大 3.1W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SMD、フラットリード
サプライヤデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
ベース品番 SI5515
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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