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SI4946BEY-T1-E3 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 60V 6.5A 3.7W 面実装 8-SO
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1 134.00000 ¥134
10 119.90000 ¥1,199
25 113.76000 ¥2,844
100 85.34000 ¥8,534
250 84.52800 ¥21,132
500 72.34000 ¥36,170
1,000 58.92800 ¥58,928

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI4946BEY-T1-E3TR-ND
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  • 在庫数量: 15,000 - 即時
  • 単価: ¥58.11520

SI4946BEY-T1-E3

データシート
Digi-Key品番 SI4946BEY-T1-E3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SI4946BEY-T1-E3
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商品概要 MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 60V 6.5A 3.7W 面実装 8-SO

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ドキュメントとメディア
データシート SI4946BEY
PCNアセンブリ/原産地 Bondwire 06/Jun/2019
HTMLデータシート SI4946BEY
EDA/CADモデル Ultra Librarianからダウンロード
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 6.5A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 41ミリオーム @ 5.3A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 25nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 840pF @ 30V
電力 - 最大 3.7W
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
ベース部品番号 SI4946
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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