SI4590DY-T1-GE3 MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 100V 3.4A、2.8A 2.4W、3.4W 面実装 8-SOIC
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SI4590DY-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI4590DY-T1-GE3DKR-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI4590DY-T1-GE3
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商品概要 MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
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商品概要の詳細

MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 100V 3.4A、2.8A 2.4W、3.4W 面実装 8-SOIC

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ドキュメントとメディア
データシート SI4590DY
HTMLデータシート SI4590DY
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング Digi-Reel® 
部品状況 アクティブ
FETタイプ NおよびPチャンネル
FET機能 -
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 3.4A、2.8A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 57ミリオーム @ 2A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 11.5nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 360pF @ 50V
電力 - 最大 2.4W、3.4W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
ベース品番 SI4590
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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