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SI4590DY-T1-GE3 MOSFET - アレイ N and P-Channel 100V 3.4A、2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SO
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10 103.10000 ¥1,031
25 96.96000 ¥2,424
100 79.12000 ¥7,912
500 62.54400 ¥31,272
1,000 50.03500 ¥50,035

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SI4590DY-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI4590DY-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI4590DY-T1-GE3
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商品概要 MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
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商品概要の詳細

MOSFET - アレイ N and P-Channel 100V 3.4A、2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SO

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI4590DY
HTMLデータシート SI4590DY
製品属性
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カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 -
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 3.4A、2.8A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 57ミリオーム @ 2A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 11.5nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 360pF @ 50V
電力 - 最大 2.4W, 3.4W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
ベース品番 SI4590
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI4590DY-T1-GE3CT