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100 173.53000 ¥17,353
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SI4488DY-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI4488DY-T1-GE3DKR-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI4488DY-T1-GE3
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商品概要 MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
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商品概要の詳細

Nチャンネル 150V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI4488DY
EDA/CADモデル SI4488DY-T1-GE3 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング Digi-Reel® 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 150V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 3.5A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 50ミリオーム @ 5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2V @ 250µA(最小)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 36nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1.56W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
ベース品番 SI4488
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI4488DY-T1-GE3DKR