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SI4401FDY-T1-GE3 Pチャンネル 40V 9.9A(Ta)、14A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SO
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数量 単価 金額
1 99.00000 ¥99
10 85.10000 ¥851
25 81.12000 ¥2,028
100 58.88000 ¥5,888
500 49.20000 ¥24,600
1,000 41.87100 ¥41,871

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI4401FDY-T1-GE3TR-ND
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  • 単価: ¥37.29160

SI4401FDY-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI4401FDY-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI4401FDY-T1-GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
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メーカーの標準リードタイム 19週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 40V 9.9A(Ta)、14A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SO

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI4401FDY
ハイライト製品 P-Channel MOSFETs
HTMLデータシート SI4401FDY
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET® Gen III
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 9.9A(Ta)、14A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 14.2ミリオーム @ 10A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 100nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 4000pF @ 20V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Ta)、5W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
ベース品番 SI4401
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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