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SI4214DDY-T1-GE3 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 8.5A 3.1W 面実装 8-SO
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1 76.00000 ¥76
10 66.10000 ¥661
25 62.04000 ¥1,551
100 45.06000 ¥4,506
250 43.45200 ¥10,863
500 37.64200 ¥18,821
1,000 32.03600 ¥32,036

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI4214DDY-T1-GE3TR-ND
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  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥30.03400

SI4214DDY-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI4214DDY-T1-GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SI4214DDY-T1-GE3
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商品概要 MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 8.5A 3.1W 面実装 8-SO

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ドキュメントとメディア
データシート SI4214DDY
PCNアセンブリ/原産地 Wafer Site 12/Sep/2018
HTMLデータシート SI4214DDY
EDA/CADモデル Ultra Librarianからダウンロード
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 8.5A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 19.5ミリオーム @ 8A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 22nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 660pF @ 15V
電力 - 最大 3.1W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
ベース部品番号 SI4214
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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