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SI4143DY-T1-GE3 Pチャンネル 30V 25.3A(Tc) 6W(Tc) 面実装 8-SO
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数量 単価 金額
1 88.00000 ¥88
10 75.80000 ¥758
25 72.28000 ¥1,807
100 52.46000 ¥5,246
500 43.83400 ¥21,917
1,000 37.30500 ¥37,305

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI4143DY-T1-GE3TR-ND
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  • 単価: ¥33.22440

SI4143DY-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI4143DY-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI4143DY-T1-GE3
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商品概要 MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
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メーカーの標準リードタイム 8週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 30V 25.3A(Tc) 6W(Tc) 面実装 8-SO

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI4143DY
HTMLデータシート SI4143DY
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 25.3A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 6.2ミリオーム @ 12A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 167nC @ 10V
Vgs(最大) ±25V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 6630pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 6W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TA)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
ベース品番 SI4143
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI4143DY-T1-GE3CT