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SI3900DV-T1-E3 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 20V 2A 830mW 面実装 6-TSOP
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SI3900DV-T1-E3

データシート
Digi-Key品番 SI3900DV-T1-E3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI3900DV-T1-E3
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商品概要 MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
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商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 20V 2A 830mW 面実装 6-TSOP

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI3900DV
HTMLデータシート SI3900DV
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 2A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 125ミリオーム @ 2.4A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 4nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) -
電力 - 最大 830mW
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
サプライヤデバイスパッケージ 6-TSOP
ベース品番 SI3900
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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