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25 105.44000 ¥2,636
100 86.62000 ¥8,662
500 71.55200 ¥35,776
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SI3483CDV-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI3483CDV-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI3483CDV-T1-GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
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商品概要の詳細

P-Channel 30V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI3483CDV
HTMLデータシート SI3483CDV
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 34mOhm @ 6.1A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 33nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1000pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2W (Ta), 4.2W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ベース品番 SI3483
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI3483CDV-T1-GE3CT