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10 53.70000 ¥537
25 50.16000 ¥1,254
100 40.11000 ¥4,011
500 31.51400 ¥15,757
1,000 24.35200 ¥24,352

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  • テープ&リール(TR)  : SI2399DS-T1-GE3TR-ND
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SI2399DS-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI2399DS-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI2399DS-T1-GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
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商品概要の詳細

Pチャンネル 20V 6A(Tc) 2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI2399DS-T1-GE3
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Mfg/Test Qual 11/Sep/2019
HTMLデータシート SI2399DS-T1-GE3
EDA/CADモデル SI2399DS-T1-GE3 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 6A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 34ミリオーム @ 5.1A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 20nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±12V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 835pF @ 10V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 SI2399
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI2399DS-T1-GE3CT