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SI2323DS-T1-E3 Pチャンネル 20V 3.7A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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1 66.00000 ¥66
10 58.00000 ¥580
100 39.53000 ¥3,953
500 33.03000 ¥16,515
1,000 28.11100 ¥28,111

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI2323DS-T1-E3TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
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  • Digi-Reel®  : SI2323DS-T1-E3DKR-ND
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  • 単価: Digi-Reel®

SI2323DS-T1-E3

データシート
Digi-Key品番 SI2323DS-T1-E3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SI2323DS-T1-E3
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商品概要 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
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商品概要の詳細

Pチャンネル 20V 3.7A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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ドキュメントとメディア
データシート Si2323DS
ビデオファイル MOSFET Technologies for Power Conversion
HTMLデータシート Si2323DS
EDA/CADモデル Ultra Librarianからダウンロード
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 3.7A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.8V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 39ミリオーム @ 4.7A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 19nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±8V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1020pF @ 10V
FET機能 -
消費電力(最大) 750mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
環境および輸出に関する分類
鉛フリーステータス / RoHS ステータス 鉛フリー / ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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