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SI2319CDS-T1-GE3 Pチャンネル 40V 4.4A(Tc) 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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数量 単価 金額
1 63.00000 ¥63
10 54.10000 ¥541
25 50.48000 ¥1,262
100 37.50000 ¥3,750
250 35.62800 ¥8,907
500 29.28200 ¥14,641
1,000 23.79900 ¥23,799

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI2319CDS-T1-GE3TR-ND
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SI2319CDS-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI2319CDS-T1-GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SI2319CDS-T1-GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 40V 4.4A(Tc) 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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ドキュメントとメディア
データシート SI2319CDS
ビデオファイル MOSFET Technologies for Power Conversion
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Mfg/Test Qual 11/Sep/2019
HTMLデータシート SI2319CDS
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4.4A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 77ミリオーム @ 3.1A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 21nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 595pF @ 20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.25W(Ta)、2.5W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース部品番号 SI2319
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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