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SI2318CDS-T1-GE3 Nチャンネル 40V 5.6A(Tc) 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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1 51.00000 ¥51
10 40.60000 ¥406
25 37.12000 ¥928
100 23.31000 ¥2,331
250 23.05600 ¥5,764
500 21.58800 ¥10,794
1,000 14.67900 ¥14,679

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI2318CDS-T1-GE3TR-ND
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SI2318CDS-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI2318CDS-T1-GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SI2318CDS-T1-GE3
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商品概要 MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 40V 5.6A(Tc) 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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ドキュメントとメディア
データシート Si2318CDS
ビデオファイル MOSFET Technologies for Power Conversion
HTMLデータシート Si2318CDS
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 5.6A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 42ミリオーム @ 4.3A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 9nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 340pF @ 20V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1.25W(Ta)、2.1W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 SI2318
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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