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10 51.80000 ¥518
25 48.32000 ¥1,208
100 38.65000 ¥3,865
500 30.37000 ¥15,185
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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI2312BDS-T1-GE3TR-ND
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SI2312BDS-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI2312BDS-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI2312BDS-T1-GE3
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商品概要 MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
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商品概要の詳細

Nチャンネル 20V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート Si2312BDS
HTMLデータシート Si2312BDS
EDA/CADモデル SI2312BDS-T1-GE3 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 3.9A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.8V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 31ミリオーム @ 5A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 850mV @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 12nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
電力散逸(最大) 750mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 SI2312
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI2312BDS-T1-GE3CT