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数量 単価 金額
1 68.00000 ¥68
10 58.40000 ¥584
25 54.56000 ¥1,364
100 43.63000 ¥4,363
500 34.28200 ¥17,141
1,000 26.49100 ¥26,491

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI2309CDS-T1-GE3TR-ND
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  • 単価: ¥24.15367

SI2309CDS-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI2309CDS-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI2309CDS-T1-GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
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メーカーの標準リードタイム 47週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 60V 1.6A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI2309CDS
RoHS情報 Material Compliance
REACH 211 Cert, SVHC
HTMLデータシート SI2309CDS
EDA/CADモデル SI2309CDS-T1-GE3 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1.6A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 345ミリオーム @ 1.25A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 4.1nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 210pF @ 30V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1W(Ta)、1.7W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 SI2309
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI2309CDS-T1-GE3CT