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SI1900DL-T1-E3 MOSFETアレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 590mA 270mW 面実装 SC-70-6(SOT-363)
価格と調達
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数量
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数量 単価 金額
1 69.00000 ¥69
10 58.40000 ¥584
25 54.52000 ¥1,363
100 40.48000 ¥4,048
250 38.46000 ¥9,615
500 31.61000 ¥15,805
1,000 25.69300 ¥25,693

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI1900DL-T1-E3TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 51,000 - 即時
  • 単価: ¥23.43200
  • Digi-Reel®  : SI1900DL-T1-E3DKR-ND
  • 最小発注数量: 1
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  • 単価: Digi-Reel®

SI1900DL-T1-E3

データシート
Digi-Key品番 SI1900DL-T1-E3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SI1900DL-T1-E3
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商品概要 MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

MOSFETアレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 590mA 270mW 面実装 SC-70-6(SOT-363)

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ドキュメントとメディア
データシート SI1900DL
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 590mA
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 480ミリオーム @ 590mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 1.4nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) -
電力 - 最大 270mW
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ SC-70-6(SOT-363)
ベース部品番号 SI1900
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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¥20.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI1900DL-T1-E3CT