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10 45.90000 ¥459
25 42.00000 ¥1,050
100 31.25000 ¥3,125
500 23.44000 ¥11,720
1,000 17.58000 ¥17,580

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SI1317DL-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI1317DL-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI1317DL-T1-GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
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商品概要の詳細

Pチャンネル 20V 1.4A(Tc) 500mW(Tc) 面実装 SC-70-3

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート Si1317DL
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1.4A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.8V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 150ミリオーム @ 1.4A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 800mV @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 6.5nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±8V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 272pF @ 10V
FET機能 -
電力散逸(最大) 500mW(Tc)
動作温度 -50°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SC-70-3
パッケージ/ケース SC-70、SOT-323
ベース品番 SI1317
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI1317DL-T1-GE3CT