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数量 単価 金額
1 111.00000 ¥111
10 99.50000 ¥995
25 94.40000 ¥2,360
100 70.80000 ¥7,080
250 70.12800 ¥17,532
500 60.01600 ¥30,008
1,000 48.88900 ¥48,889
2,500 48.21480 ¥120,537
5,000 43.83160 ¥219,158

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IRFD9120PBF

データシート
Digi-Key品番 IRFD9120PBF-ND
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仕入先

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メーカー品番 IRFD9120PBF
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商品概要 MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
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メーカーの標準リードタイム 8週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) スルーホール 4-DIP、Hexdip、HVMDIP

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ドキュメントとメディア
データシート IRFD9120, SiHFD9120
ビデオファイル MOSFET Technologies for Power Conversion
HTMLデータシート IRFD9120, SiHFD9120
EDA/CADモデル Ultra Librarianからダウンロード
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ -
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 600ミリオーム @ 600mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 18nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 390pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W(Ta)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ 4-DIP、Hexdip、HVMDIP
パッケージ/ケース 4-DIP(0.300インチ、7.62mm)
ベース部品番号 IRFD9120
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 2,500
その他の製品名/品番 *IRFD9120PBF