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2N7002K-T1-GE3 Nチャンネル 60V 300mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 TO-236
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1 25.00000 ¥25
10 20.40000 ¥204
25 17.00000 ¥425
100 8.31000 ¥831
500 6.92800 ¥3,464
1,000 4.81500 ¥4,815

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : 2N7002K-T1-GE3TR-ND
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2N7002K-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 2N7002K-T1-GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 2N7002K-T1-GE3
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商品概要 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
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商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 300mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 TO-236

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート 2N7002K Datasheet
ビデオファイル MOSFET Technologies for Power Conversion
HTMLデータシート 2N7002K Datasheet
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 300mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 2オーム @ 500mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 0.6nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 30pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 350mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ TO-236
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 2N7002
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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