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TPN2R304PL,L1Q Nチャンネル 40V 80A(Tc) 630mW(Ta)、104W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス(3.3x3.3)
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数量 単価 金額
1 96.00000 ¥96
10 84.10000 ¥841
25 79.08000 ¥1,977
100 57.38000 ¥5,738
250 55.33600 ¥13,834
500 47.94200 ¥23,971
1,000 40.80100 ¥40,801
2,500 38.25120 ¥95,628

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : TPN2R304PLL1QTR-ND
  • 最小発注数量: 5,000
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥34.42620

TPN2R304PL,L1Q

データシート
Digi-Key品番 TPN2R304PLL1QCT-ND
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仕入先

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メーカー品番 TPN2R304PL,L1Q
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商品概要 MOSFET N-CH 40V 80A TSON
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 40V 80A(Tc) 630mW(Ta)、104W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス(3.3x3.3)

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ドキュメントとメディア
データシート TPN2R304PL
ハイライト製品 30 V and 40 V Ultra-High Efficiency MOSFETs
EDA/CADモデル Ultra Librarianからダウンロード
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ U-MOSIX-H
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 80A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 2.3ミリオーム @ 40A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.4V @ 0.3mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 41nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 3600pF @ 20V
FET機能 -
消費電力(最大) 630mW(Ta)、104W(Tc)
動作温度 175°C
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSONアドバンス(3.3x3.3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス RoHS対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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TPN3R704PL,L1Q

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Toshiba Semiconductor and Storage

¥78.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 TPN2R304PLL1QCT