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TPN1R603PL,L1Q Nチャンネル 30V 80A(Tc) 104W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス(3.3x3.3)
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数量 単価 金額
1 96.00000 ¥96
10 83.90000 ¥839
25 80.04000 ¥2,001
100 58.09000 ¥5,809
500 54.21800 ¥27,109

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : TPN1R603PLL1QTR-ND
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TPN1R603PL,L1Q

データシート
Digi-Key品番 TPN1R603PLL1QCT-ND
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仕入先

Toshiba Semiconductor and Storage

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メーカー品番 TPN1R603PL,L1Q
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商品概要 MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
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メーカーの標準リードタイム 24週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 30V 80A(Tc) 104W(Tc) 面実装 8-TSONアドバンス(3.3x3.3)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート TPN1R603PL
ハイライト製品 Ultra-High-Efficiency U-MOS IX-H MOSFETs
Server Solutions
EDA/CADモデル TPN1R603PL by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ U-MOSIX-H
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 80A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 1.6ミリオーム @ 40A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.1V @ 300µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 41nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 3900pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 104W(Tc)
動作温度 175°C
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSONアドバンス(3.3x3.3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
ベース品番 RN4988
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス RoHS対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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