SSM6J507NU,LF Pチャンネル 30V 10A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 6-UDFNB(2x2)
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SSM6J507NU,LF

データシート
Digi-Key品番 SSM6J507NULFCT-ND
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仕入先

Toshiba Semiconductor and Storage

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メーカー品番 SSM6J507NU,LF
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商品概要 MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 30V 10A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 6-UDFNB(2x2)

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カテゴリ
仕入先 Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ U-MOSVI
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 10A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 20ミリオーム @ 4A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 20.4nC @ 4.5V
Vgs(最大) +20V、-25V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1150pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1.25W(Ta)
動作温度 150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 6-UDFNB(2x2)
パッケージ/ケース 6-WDFN露出パッド
ベース品番 SSM6J507
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス RoHS対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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