SSM3K318R,LF Nチャンネル 60V 2.5A(Ta) 1W(Ta) 面実装 SOT-23F
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1 53.00000 ¥53
10 42.60000 ¥426
100 29.02000 ¥2,902
500 21.76600 ¥10,883
1,000 16.32500 ¥16,325

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SSM3K318RLFTR-ND
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SSM3K318R,LF

データシート
Digi-Key品番 SSM3K318RLFCT-ND
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仕入先

Toshiba Semiconductor and Storage

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メーカー品番 SSM3K318R,LF
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商品概要 MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
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メーカーの標準リードタイム 20週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 2.5A(Ta) 1W(Ta) 面実装 SOT-23F

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SSM3K318R
ハイライト製品 Server Solutions
EDA/CADモデル SSM3K318R by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ U-MOSIV
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 2.5A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 107ミリオーム @ 2A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.8V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 7nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 235pF @ 30V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1W(Ta)
動作温度 150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23F
パッケージ/ケース SOT-23-3フラットリード
ベース品番 SSM3K318
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス RoHS対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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