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CSD22202W15 Pチャンネル 8V 10A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 9-DSBGA
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10 79.20000 ¥792
25 74.36000 ¥1,859
100 60.69000 ¥6,069
500 47.98200 ¥23,991
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CSD22202W15

データシート
Digi-Key品番 296-39999-1-ND
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仕入先

Texas Instruments

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メーカー品番 CSD22202W15
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商品概要 MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
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メーカーの標準リードタイム 35週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 8V 10A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 9-DSBGA

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート CSD22202W15
ハイライト製品 Power Management
メーカー製品ページ CSD22202W15 Specifications
EDA/CADモデル CSD22202W15 by SnapEDA
CSD22202W15 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Texas Instruments
シリーズ NexFET™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 8V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 10A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 12.2ミリオーム @ 2A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 8.4nC @ 4.5V
Vgs(最大) -6V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1390pF @ 4V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1.5W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 9-DSBGA
パッケージ/ケース 9-UFBGA、DSBGA
ベース品番 CSD22202
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 296-39999-1