JPY | USD
お気に入り

価格と調達
8,782 個在庫あり
即日出荷可能 メーカー在庫 : 10,000
 

注:ご記入は半角英数字にてお願いします。

数量
すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 632.00000 ¥632
10 567.10000 ¥5,671
25 536.16000 ¥13,404
100 464.66000 ¥46,466
500 395.56000 ¥197,780
1,000 361.76700 ¥361,767

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

CSD19536KCS

データシート
Digi-Key品番 296-37289-5-ND
コピー  
仕入先

Texas Instruments

コピー  
メーカー品番 CSD19536KCS
コピー  
商品概要 MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
コピー  
メーカーの標準リードタイム 6週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 150A(Ta) 375W(Tc) スルーホール TO-220-3

コピー  
客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート CSD19536KCS
ハイライト製品 CSD19536KCS Power MOSFET
Power Management
PCN設計/仕様 ID symbolization Change 04/Mar/2020
PCNアセンブリ/原産地 TO220 Pkg Qualification Add Assembly & Test Site 30/Oct/2015
PCNパッケージング Mult Dev 15/Apr/2020
メーカー製品ページ CSD19536KCS Specifications
EDA/CADモデル CSD19536KCS by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Texas Instruments
シリーズ NexFET™
パッケージング チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 150A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 2.7ミリオーム @ 100A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 153nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 12000pF @ 50V
FET機能 -
電力散逸(最大) 375W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
ベース品番 CSD19536
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
よく一緒に購入されている製品
また次もご覧下さい

B3100-13-F

DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC

Diodes Incorporated

¥79.00000 詳細

MURS160T3G

DIODE GEN PURP 600V 2A SMB

ON Semiconductor

¥56.00000 詳細

LM4041A12IDBZR

IC VREF SHUNT 0.1% SOT23-3

Texas Instruments

¥229.00000 詳細

OPA376AIDBVT

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-5

Texas Instruments

¥243.00000 詳細

BAT46WH,115

DIODE SCHOT 100V 250MA SOD123F

Nexperia USA Inc.

¥34.00000 詳細

TMP300BIDBVT

THERMOSTAT PROG ACT LOW SOT23-6

Texas Instruments

¥314.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 50
その他の製品名/品番 296-37289-5