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数量 単価 金額
1 569.00000 ¥569
10 511.10000 ¥5,111
25 483.20000 ¥12,080
100 386.57000 ¥38,657
250 365.09600 ¥91,274
500 343.62000 ¥171,810
1,000 294.22500 ¥294,225
2,500 289.93000 ¥724,825

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CSD19536KCS

データシート
Digi-Key品番 296-37289-5-ND
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仕入先

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メーカー品番 CSD19536KCS
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商品概要 MOSFET N-CH 100V TO-220
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メーカーの標準リードタイム 6週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 150A(Ta) 375W(Tc) スルーホール TO-220-3

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ドキュメントとメディア
データシート CSD19536KCS
ハイライト製品 CSD19536KCS Power MOSFET
Power Management
PCN設計/仕様 ID symbolization Change 04/Mar/2020
PCNアセンブリ/原産地 TO220 Pkg Qualification Add Assembly & Test Site 30/Oct/2015
メーカー製品ページ CSD19536KCS Specifications
EDA/CADモデル Ultra Librarianからダウンロード
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Texas Instruments
シリーズ NexFET™
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 150A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 2.7ミリオーム @ 100A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 153nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 12000pF @ 50V
FET機能 -
消費電力(最大) 375W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
ベース部品番号 CSD19536
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 50
その他の製品名/品番 296-37289-5