SH8M51GZETB MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 100V 3A(Ta)、2.5A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 8-SOP
価格と調達
2,490 個在庫あり
即日出荷可能
 

数量

リストに追加

すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 181.00000 ¥181
10 162.40000 ¥1,624
100 126.64000 ¥12,664
500 104.62200 ¥52,311
1,000 82.59700 ¥82,597

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SH8M51GZETBTR-ND
  • 最小発注数量: 2,500
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥77.09080
  • Digi-Reel®  : SH8M51GZETBDKR-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 2,490 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®

SH8M51GZETB

データシート
Digi-Key品番 SH8M51GZETBCT-ND
コピー  
仕入先

Rohm Semiconductor

コピー  
メーカー品番 SH8M51GZETB
コピー  
商品概要 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
コピー  
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 100V 3A(Ta)、2.5A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 8-SOP

コピー  
客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SH8M51
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Rohm Semiconductor
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ NおよびPチャンネル
FET機能 標準
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 3A(Ta)、2.5A(Ta)
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 170ミリオーム @ 3A、10V、290ミリオーム @ 2.5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 8.5nC、12.5nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 610pF、1550pF @ 25V
電力 - 最大 1.4W(Ta)
動作温度 150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
ベース品番 SH8M51
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

SI4590DY-T1-GE3

MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL

Vishay Siliconix

¥118.00000 詳細

HP8M51TB1

HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

Rohm Semiconductor

¥249.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SH8M51GZETBCT