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1 1,084.00000 ¥1,084
10 979.60000 ¥9,796
25 934.00000 ¥23,350
100 811.02000 ¥81,102
500 706.22000 ¥353,110
1,000 621.30700 ¥621,307

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SCT3160KLGC11

データシート
Digi-Key品番 SCT3160KLGC11-ND
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仕入先

Rohm Semiconductor

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メーカー品番 SCT3160KLGC11
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商品概要 SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
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商品概要の詳細

Nチャンネル 1200V 17A(Tc) 103W(Tc) スルーホール TO-247N

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SCT3160KL
TO-247N Taping Spec
その他の関連資料 TO-247N Inner Structure
TO-247N SiC Part Marking
SiC Flammability
MOS-3GTHD Reliability Test
製品トレーニングモジュール SiC Trench MOSFETs
RoHS情報 SiC Level 1 MSL
SiC Whisker Info
TO-247N MOS Constitution Material List
SCT3160KL ESD Data
ハイライト製品 3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETs
SiC Power MOSFETs
HTMLデータシート TO-247N Taping Spec
EDA/CADモデル SCT3160KLGC11 by Ultra Librarian
シミュレーションモデル SCT3160KL Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Rohm Semiconductor
シリーズ -
パッケージング チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 SiCFET(炭化ケイ素)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 1200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 17A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 18V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 208ミリオーム @ 5A、18V
Id印加時のVgs(th)(最大) 5.6V @ 2.5mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 42nC @ 18V
Vgs(最大) +22V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 398pF @ 800V
FET機能 -
電力散逸(最大) 103W(Tc)
動作温度 175°C(TJ)
取り付けタイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-247N
パッケージ/ケース TO-247-3
ベース品番 SCT3160
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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