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SCT3030KLGC11 Nチャンネル 1200V 72A(Tc) 339W(Tc) スルーホール TO-247N
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10 7,109.10000 ¥71,091
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100 6,547.92000 ¥654,792

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SCT3030KLGC11

データシート
Digi-Key品番 SCT3030KLGC11-ND
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仕入先

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メーカー品番 SCT3030KLGC11
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商品概要 MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N
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メーカーの標準リードタイム 21週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 1200V 72A(Tc) 339W(Tc) スルーホール TO-247N

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ドキュメントとメディア
データシート SCT3030KL
TO-247N Taping Spec
その他の関連資料 TO-247N Inner Structure
TO-247N SiC Part Marking
SiC Flammability
MOS-3GTHD Reliability Test
製品トレーニングモジュール SiC Trench MOSFETs
ビデオファイル ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
RoHS情報 SiC Level 1 MSL
SiC Whisker Info
TO-247N MOS Constitution Material List
SCT3030KL ESD Data
ハイライト製品 3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETs
SiC Power MOSFETs
HTMLデータシート SCT3030KL
シミュレーションモデル SCT3030KL Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Rohm Semiconductor
シリーズ -
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 SiCFET(炭化ケイ素)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 1200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 72A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 18V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 39ミリオーム @ 27A、18V
Id印加時のVgs(th)(最大) 5.6V @ 13.3mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 131nC @ 18V
Vgs(最大) +22V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 2222pF @ 800V
FET機能 -
消費電力(最大) 339W(Tc)
動作温度 175°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-247N
パッケージ/ケース TO-247-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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