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1 3,217.00000 ¥3,217
10 2,967.00000 ¥29,670
25 2,833.64000 ¥70,841
100 2,533.62000 ¥253,362
500 2,300.26400 ¥1,150,132

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SCT3030ALGC11

データシート
Digi-Key品番 SCT3030ALGC11-ND
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仕入先

Rohm Semiconductor

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メーカー品番 SCT3030ALGC11
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商品概要 SICFET N-CH 650V 70A TO247N
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商品概要の詳細

Nチャンネル 650V 70A(Tc) 262W(Tc) スルーホール TO-247N

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SCT3030AL
TO-247N Taping Spec
その他の関連資料 TO-247N Inner Structure
TO-247N SiC Part Marking
SiC Flammability
MOS-3GTHD Reliability Test
製品トレーニングモジュール SiC Trench MOSFETs
RoHS情報 SiC Level 1 MSL
SiC Whisker Info
TO-247N MOS Constitution Material List
SCT3030AL ESD Data
ハイライト製品 3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETs
SiC Power MOSFETs
HTMLデータシート TO-247N Taping Spec
シミュレーションモデル SCT3030AL Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Rohm Semiconductor
シリーズ -
パッケージング チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 SiCFET(炭化ケイ素)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 70A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 18V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 39ミリオーム @ 27A、18V
Id印加時のVgs(th)(最大) 5.6V @ 13.3mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 104nC @ 18V
Vgs(最大) +22V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1526pF @ 500V
FET機能 -
電力散逸(最大) 262W(Tc)
動作温度 175°C(TJ)
取り付けタイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-247N
パッケージ/ケース TO-247-3
ベース品番 SCT3030
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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