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RSD131P10TL Pチャンネル 100V 13A(Tc) 850mW(Ta)、20W(Tc) 面実装 CPT3
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RSD131P10TL

データシート
Digi-Key品番 RSD131P10TL-ND
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仕入先

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メーカー品番 RSD131P10TL
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商品概要 MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
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商品概要の詳細

Pチャンネル 100V 13A(Tc) 850mW(Ta)、20W(Tc) 面実装 CPT3

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ドキュメントとメディア
データシート RSD131P10
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Rohm Semiconductor
シリーズ -
梱包形態 テープ&リール(TR) 
部品状況 新規設計向けに不適合
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 13A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 200ミリオーム @ 6.5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 40nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 2400pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 850mW(Ta)、20W(Tc)
動作温度 150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ CPT3
パッケージ/ケース TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
その他のリソース
基準パッケージ 2,500