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RQ3G100GNTB Nチャンネル 40V 10A(Ta) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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1 58.00000 ¥58
10 49.70000 ¥497
25 46.36000 ¥1,159
100 37.09000 ¥3,709
500 29.14000 ¥14,570
1,000 22.51700 ¥22,517

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  • 最小発注数量: 1
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  • 単価: ¥58.00000

RQ3G100GNTB

データシート
Digi-Key品番 RQ3G100GNTBDKR-ND
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仕入先

Rohm Semiconductor

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メーカー品番 RQ3G100GNTB
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商品概要 MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
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商品概要の詳細

Nチャンネル 40V 10A(Ta) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)

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カテゴリ
仕入先 Rohm Semiconductor
シリーズ -
パッケージング Digi-Reel® 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 10A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 14.3ミリオーム @ 10A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 8.4nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 615pF @ 20V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2W(Ta)
動作温度 150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-HSMT(3.2x3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
ベース品番 RQ3G100
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

SSM3J334R,LF

MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F

Toshiba Semiconductor and Storage

¥55.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 RQ3G100GNTBDKR