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10 39.80000 ¥398
25 36.40000 ¥910
100 27.09000 ¥2,709
500 20.31400 ¥10,157
1,000 15.23600 ¥15,236

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  • テープ&リール(TR)  : RQ3E100BNTBTR-ND
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RQ3E100BNTB

データシート
Digi-Key品番 RQ3E100BNTBCT-ND
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仕入先

Rohm Semiconductor

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メーカー品番 RQ3E100BNTB
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商品概要 MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
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メーカーの標準リードタイム 16週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 30V 10A(Ta) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)

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製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Rohm Semiconductor
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 10A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 10.4ミリオーム @ 10A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 22nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1100pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2W(Ta)
動作温度 150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-HSMT(3.2x3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
ベース品番 RQ3E100
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 RQ3E100BNTBCT