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BSM120D12P2C005 MOSFETアレイ Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 1200V(1.2kV) 120A(Tc) 780W モジュール
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BSM120D12P2C005

データシート
Digi-Key品番 BSM120D12P2C005-ND
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仕入先

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メーカー品番 BSM120D12P2C005
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商品概要 MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
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メーカーの標準リードタイム 25週間
商品概要の詳細

MOSFETアレイ Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 1200V(1.2kV) 120A(Tc) 780W モジュール

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製品属性
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カテゴリ
仕入先 Rohm Semiconductor
シリーズ -
梱包形態 バルク 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)
FET機能 シリコンカーバイド(SiC)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 1200V(1.2kV)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 120A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大) -
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.7V @ 22mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) -
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 14000pF @ 10V
電力 - 最大 780W
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
パッケージ/ケース モジュール
サプライヤデバイスパッケージ モジュール
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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