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BSM080D12P2C008 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 1200V(1.2kV) 80A(Tc) 600W シャーシマウント モジュール
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BSM080D12P2C008

データシート
Digi-Key品番 BSM080D12P2C008-ND
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仕入先

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メーカー品番 BSM080D12P2C008
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商品概要 SIC POWER MODULE-1200V-80A
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メーカーの標準リードタイム 17週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 1200V(1.2kV) 80A(Tc) 600W シャーシマウント モジュール

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製品属性
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カテゴリ
仕入先 Rohm Semiconductor
シリーズ -
梱包形態 トレイ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 シリコンカーバイド(SiC)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 1200V(1.2kV)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 80A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大) -
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 13.2mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) -
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 800pF @ 10V
電力 - 最大 600W
動作温度 175°C(TJ)
実装タイプ シャーシマウント
パッケージ/ケース モジュール
サプライヤデバイスパッケージ モジュール
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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