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NTB25P06T4G

データシート
Digi-Key品番 NTB25P06T4GOSCT-ND
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仕入先

onsemi

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メーカー品番 NTB25P06T4G
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商品概要 MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
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商品概要の詳細

Pチャンネル 60V 27.5A(Ta) 120W(Tj) 面実装 D²PAK

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート NTB25P06
RoHS情報 Material Declaration NTB25P06T4G
onsemi RoHS3
PCN設計/仕様 Mult Devices 14/Jul/2019
Cancellation 13/Aug/2020
PCNアセンブリ/原産地 TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
HTMLデータシート NTB25P06
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 onsemi
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 27.5A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 82ミリオーム @ 25A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 50nC @ 10V
Vgs(最大) ±15V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1680pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 120W(Tj)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK
パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
ベース品番 NTB25
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 NTB25P06T4GOSCT