FDS6890A MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 20V 7.5A 900mW 面実装 8-SOIC
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Digi-Key品番 FDS6890ACT-ND
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仕入先

onsemi

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メーカー品番 FDS6890A
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商品概要 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
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商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 20V 7.5A 900mW 面実装 8-SOIC

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDS6890A
RoHS情報 Material Declaration FDS6890A
onsemi RoHS3
onsemi REACH219
PCN設計/仕様 Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCNパッケージング Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018
HTMLデータシート FDS6890A
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 onsemi
シリーズ PowerTrench®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 7.5A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 18ミリオーム @ 7.5A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 32nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 2130pF @ 10V
電力 - 最大 900mW
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
ベース品番 FDS6890
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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