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Digi-Key品番 FDMS86105CT-ND
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仕入先

onsemi

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メーカー品番 FDMS86105
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商品概要 MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
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メーカーの標準リードタイム 26週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 6A(Ta)、26A(Tc) 2.5W(Ta)、48W(Tc) 面実装 8-PQFN(5x6)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDMS86105
RoHS情報 Material Declaration FDMS86105
onsemi RoHS3
onsemi REACH219
ハイライト製品 Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
PCN設計/仕様 Logo 17/Aug/2017
PCNパッケージング Mult Devices 24/Oct/2017
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 onsemi
シリーズ PowerTrench®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 6A(Ta)、26A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 34ミリオーム @ 6A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 11nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 645pF @ 50V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Ta)、48W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN(5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
ベース品番 FDMS86
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 FDMS86105CT