FDB52N20TM Nチャンネル 200V 52A(Tc) 357W(Tc) 面実装 D²PAK(TO-263)
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Digi-Key品番 FDB52N20TMCT-ND
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仕入先

onsemi

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メーカー品番 FDB52N20TM
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商品概要 MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
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商品概要の詳細

Nチャンネル 200V 52A(Tc) 357W(Tc) 面実装 D²PAK(TO-263)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート FDB52N20TM Datasheet
RoHS情報 Material Declaration FDB52N20TM
onsemi RoHS3
onsemi REACH219
PCN設計/仕様 Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 FDYYY 20/Sep/2019
PCNパッケージング TO263 31/Aug/2016
Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 onsemi
シリーズ UniFET™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 52A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 49ミリオーム @ 26A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 63nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 2900pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 357W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK(TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
ベース品番 FDB52N20
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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