BSS138W Nチャンネル 50V 210mA(Ta) 340mW(Ta) 面実装 SOT-323
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1 55.00000 ¥55
10 41.00000 ¥410
100 25.55000 ¥2,555
500 17.48400 ¥8,742
1,000 13.44800 ¥13,448

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : BSS138WTR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥12.10300
  • Digi-Reel®  : BSS138WDKR-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 0
  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 BSS138WCT-ND
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仕入先

onsemi

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メーカー品番 BSS138W
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商品概要 MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
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商品概要の詳細

Nチャンネル 50V 210mA(Ta) 340mW(Ta) 面実装 SOT-323

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSS138W Datasheet
RoHS情報 Material Declaration BSS138W
onsemi RoHS3
PCN設計/仕様 Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 Qualification of Manufacturing Source 25/Nov/2013
PCNパッケージング Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
EDA/CADモデル BSS138W by SnapEDA
BSS138W by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 onsemi
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 50V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 210mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 3.5オーム @ 220mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 1.1nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 38pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 340mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-323
パッケージ/ケース SC-70、SOT-323
ベース品番 BSS138
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BSS138WCT