SBSS84LT1G Pチャンネル 50V 130mA(Ta) 225mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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1 52.00000 ¥52
10 38.40000 ¥384
100 21.78000 ¥2,178
500 14.42200 ¥7,211
1,000 11.05500 ¥11,055

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SBSS84LT1GOSTR-ND
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Digi-Key品番 SBSS84LT1GOSCT-ND
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仕入先

onsemi

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メーカー品番 SBSS84LT1G
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商品概要 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
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商品概要の詳細

Pチャンネル 50V 130mA(Ta) 225mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート B(V)SS84L Datasheet
RoHS情報 Material Declaration SBSS84LT1G
PCN設計/仕様 SOT23 27/Sep/2016
PCNアセンブリ/原産地 Mult Devices Mold Compound 25/Apr/2018
HTMLデータシート B(V)SS84L Datasheet
EDA/CADモデル SBSS84LT1G by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 onsemi
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 新規設計向けに不適合
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 50V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 130mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 10オーム @ 100mA、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 2.2nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 36pF @ 5V
FET機能 -
電力散逸(最大) 225mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 SBSS84
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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