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NVF3055L108T1G Nチャンネル 60V 3A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 SOT-223
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10 68.70000 ¥687
25 65.56000 ¥1,639
100 47.59000 ¥4,759
500 39.77000 ¥19,885

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NVF3055L108T1G

データシート
Digi-Key品番 NVF3055L108T1GOSCT-ND
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仕入先

ON Semiconductor

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メーカー品番 NVF3055L108T1G
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商品概要 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
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商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 3A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 SOT-223

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート NTF3055L108, NVF3055L108
RoHS情報 Material Declaration NVF3055L108T1G
PCNアセンブリ/原産地 Wire Bond 04/Dec/2020
PCNパッケージング Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ Automotive, AEC-Q101
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 新規設計向けに不適合
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 3A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 120ミリオーム @ 1.5A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 15nC @ 5V
Vgs(最大) ±15V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 440pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 1.3W(Ta)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4、TO-261AA
ベース品番 NVF305
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

NTF3055L108T1G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

ON Semiconductor

¥72.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 NVF3055L108T1GOSCT