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NTHL080N120SC1 Nチャンネル 1200V 44A(Tc) 348W(Tc) スルーホール TO-247-3
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1 1,239.00000 ¥1,239
10 1,118.90000 ¥11,189
25 1,066.84000 ¥26,671
100 884.69000 ¥88,469
250 832.64800 ¥208,162
500 780.60800 ¥390,304
1,000 702.54700 ¥702,547

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NTHL080N120SC1

データシート
Digi-Key品番 NTHL080N120SC1OS-ND
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仕入先

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メーカー品番 NTHL080N120SC1
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商品概要 SIC MOS TO247 80MW 1200V
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メーカーの標準リードタイム 10週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 1200V 44A(Tc) 348W(Tc) スルーホール TO-247-3

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ドキュメントとメディア
データシート NTHL080N120SC1
RoHS情報 Material Declaration NTHL080N120SC1
ハイライト製品 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Material Chg 12/Sep/2019
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ -
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 SiCFET(炭化ケイ素)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 1200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 44A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 20V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 110ミリオーム @ 20A、20V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4.3V @ 5mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 56nC @ 20V
Vgs(最大) +25V、-15V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1670pF @ 800V
FET機能 -
消費電力(最大) 348W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
パッケージ/ケース TO-247-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 適用外
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基準パッケージ 450
その他の製品名/品番 NTHL080N120SC1OS