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NTD5867NLT4G Nチャンネル 60V 20A(Tc) 36W(Tc) 面実装 DPAK
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数量
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数量 単価 金額
1 70.00000 ¥70
10 59.40000 ¥594
25 55.44000 ¥1,386
100 41.20000 ¥4,120
250 39.14400 ¥9,786
500 32.16800 ¥16,084
1,000 26.14700 ¥26,147

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : NTD5867NLT4GOSTR-ND
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  • 在庫数量: 2,500 - 即時
  • 単価: ¥23.84640

NTD5867NLT4G

データシート
Digi-Key品番 NTD5867NLT4GOSCT-ND
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仕入先

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メーカー品番 NTD5867NLT4G
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商品概要 MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
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メーカーの標準リードタイム 8週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 20A(Tc) 36W(Tc) 面実装 DPAK

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ドキュメントとメディア
データシート NTD5867NL
RoHS情報 Material Declaration NTD5867NLT4G
PCNアセンブリ/原産地 Mult Devices 29/Aug/2017
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ -
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 20A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 39ミリオーム @ 10A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 15nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 675pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 36W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
パッケージ/ケース TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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