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NDS332P Pチャンネル 20V 1A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 SuperSOT-3
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数量 単価 金額
1 47.00000 ¥47
10 38.10000 ¥381
25 34.84000 ¥871
100 25.91000 ¥2,591
500 19.43800 ¥9,719
1,000 14.58000 ¥14,580

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : NDS332PTR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
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  • 単価: ¥13.36500
  • Digi-Reel®  : NDS332PDKR-ND
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  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 NDS332PCT-ND
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仕入先

ON Semiconductor

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メーカー品番 NDS332P
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商品概要 MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
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商品概要の詳細

Pチャンネル 20V 1A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 SuperSOT-3

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート NDS332P Datasheet
RoHS情報 Material Declaration NDS332P
PCN設計/仕様 Mold Compound 08/April/2008
Logo 17/Aug/2017
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Assembly Chgs 12/Jul/2020
PCNパッケージング Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.7V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 300ミリオーム @ 1.1A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 5nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±8V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 195pF @ 10V
FET機能 -
電力散逸(最大) 500mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SuperSOT-3
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 NDS332
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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