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MMUN2233LT1G Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - プリバイアス 50V 100mA 246mW 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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1 14.00000 ¥14
10 12.80000 ¥128
100 5.34000 ¥534
500 4.18800 ¥2,094
1,000 2.91000 ¥2,910

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : MMUN2233LT1GOSTR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 426,000 - 即時
  • 単価: ¥2.46800
  • Digi-Reel®  : MMUN2233LT1GOSDKR-ND
  • 最小発注数量: 1
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  • 単価: Digi-Reel®

MMUN2233LT1G

データシート
Digi-Key品番 MMUN2233LT1GOSCT-ND
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仕入先

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メーカー品番 MMUN2233LT1G
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商品概要 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
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メーカーの標準リードタイム 4週間
商品概要の詳細

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - プリバイアス 50V 100mA 246mW 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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ドキュメントとメディア
データシート MUNx233, MMUN2233L, DTC143Zxx, NSBC143ZF3
RoHS情報 Material Declaration MMUN2233LT1G
PCN設計/仕様 Copper Wire Update 10/Sep/2015
SOT23 16/Sep/2016
PCNアセンブリ/原産地 Wafer Source Addition 26/Nov/2014
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ -
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
トランジスタタイプ NPN - プリバイアス
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
抵抗 - ベース(R1) 4.7 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2) 47 kOhms
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小) 80 @ 5mA、10V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic 250mV @ 300µA、10mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電力 - 最大 246mW
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
ベース部品番号 MMUN22**L
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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¥190.00000 詳細

MPZ1608S601ATA00

FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

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¥12.00000 詳細

BLM18HE152SN1D

FERRITE BEAD 1.5 KOHM 0603 1LN

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¥24.00000 詳細

BLM18KG260TN1D

FERRITE BEAD 26 OHM 0603 1LN

Murata Electronics

¥12.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 MMUN2233LT1GOS
MMUN2233LT1GOS-ND
MMUN2233LT1GOSCT