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MMUN2231LT1G Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - プリバイアス 50V 100mA 246mW 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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1 14.00000 ¥14
10 12.90000 ¥129
100 5.38000 ¥538
500 4.22200 ¥2,111
1,000 2.93300 ¥2,933

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : MMUN2231LT1GOSTR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
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  • Digi-Reel®  : MMUN2231LT1GOSDKR-ND
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  • 単価: Digi-Reel®

MMUN2231LT1G

データシート
Digi-Key品番 MMUN2231LT1GOSCT-ND
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仕入先

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メーカー品番 MMUN2231LT1G
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商品概要 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - プリバイアス 50V 100mA 246mW 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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ドキュメントとメディア
データシート MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx
RoHS情報 Material Declaration MMUN2231LT1G
PCN設計/仕様 Glue Mount Process 11/July/2008
SOT23 16/Sep/2016
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer Fab Site Add 2/Nov/2017
EDA/CADモデル Ultra Librarianからダウンロード
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ -
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
トランジスタタイプ NPN - プリバイアス
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
抵抗 - ベース(R1) 2.2 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2) 2.2 kOhms
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小) 8 @ 5mA、10V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic 250mV @ 5mA、10mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電力 - 最大 246mW
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
ベース部品番号 MMUN22**L
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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