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MMUN2212LT1G Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - プリバイアス 50V 100mA 246mW 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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10 13.00000 ¥130
100 5.47000 ¥547
500 4.29600 ¥2,148
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MMUN2212LT1G

データシート
Digi-Key品番 MMUN2212LT1GOSCT-ND
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仕入先

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メーカー品番 MMUN2212LT1G
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商品概要 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
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メーカーの標準リードタイム 4週間
商品概要の詳細

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - プリバイアス 50V 100mA 246mW 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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製品属性
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カテゴリ
仕入先 ON Semiconductor
シリーズ -
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
トランジスタタイプ NPN - プリバイアス
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
抵抗 - ベース(R1) 22 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2) 22 kOhms
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小) 60 @ 5mA、10V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic 250mV @ 300µA、10mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電力 - 最大 246mW
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
ベース部品番号 MMUN22**L
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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